창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5269B (DO-35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 87V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 370옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 68V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5269B (DO-35) | |
관련 링크 | 1N5269B (, 1N5269B (DO-35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT8208AI-83-18E-30.000000T | OSC XO 1.8V 30MHZ OE | SIT8208AI-83-18E-30.000000T.pdf | |
![]() | R6004ENX | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | R6004ENX.pdf | |
![]() | ZJ2.2C | ZJ2.2C ORIGINAL DO-35 | ZJ2.2C.pdf | |
![]() | AM41PDS3228DT11I | AM41PDS3228DT11I SPANSION/AMD BGA | AM41PDS3228DT11I.pdf | |
![]() | 74HCT4538DB.118 | 74HCT4538DB.118 PHA DIPSOP | 74HCT4538DB.118.pdf | |
![]() | LC4256B-5T100I | LC4256B-5T100I LATTICE TQFP | LC4256B-5T100I.pdf | |
![]() | FM25640BGTR | FM25640BGTR RAMTRON SMD or Through Hole | FM25640BGTR.pdf | |
![]() | TR3B226M020C0800(226X0020B2TE3) | TR3B226M020C0800(226X0020B2TE3) VISHAY SMD or Through Hole | TR3B226M020C0800(226X0020B2TE3).pdf | |
![]() | 100N2-200J-RC | 100N2-200J-RC XICO SMD or Through Hole | 100N2-200J-RC.pdf | |
![]() | LT3990IMSE#PBF | LT3990IMSE#PBF LT MSOP16 | LT3990IMSE#PBF.pdf | |
![]() | SLA-12V-SL-A | SLA-12V-SL-A ORIGINAL DIP | SLA-12V-SL-A.pdf | |
![]() | SiT8102AC-43-33E-70.00000 | SiT8102AC-43-33E-70.00000 Sitime NA | SiT8102AC-43-33E-70.00000.pdf |