창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5262BDO35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 125옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 39V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5262B(DO-35)MSTR 1N5262BDO35MSTR 1N5262BDO35MSTR-ND 1N5262BMSTR 1N5262BMSTR-ND 1N5262DO35 1N5262DO35MSTR 1N5262DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5262BDO35 | |
관련 링크 | 1N5262, 1N5262BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 4P049F35IET | 4.9152MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P049F35IET.pdf | |
![]() | BUK9Y8R5-80EX | MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK | BUK9Y8R5-80EX.pdf | |
![]() | LR0204F20R | RES 20.0 OHM 1/4W 1% AXIAL | LR0204F20R.pdf | |
![]() | MM9329-V3 | MM9329-V3 NSC PLCC52 | MM9329-V3.pdf | |
![]() | RDX060N60FU6 | RDX060N60FU6 ORIGINAL SMD or Through Hole | RDX060N60FU6.pdf | |
![]() | TEP226M050SCS | TEP226M050SCS AVX SMD or Through Hole | TEP226M050SCS.pdf | |
![]() | T7OXV | T7OXV CITY SMD or Through Hole | T7OXV.pdf | |
![]() | MA335-(TX) /6E | MA335-(TX) /6E PANASON SOD-123 | MA335-(TX) /6E.pdf | |
![]() | PDSP16911PR | PDSP16911PR N/A QFP | PDSP16911PR.pdf | |
![]() | 0.1UF Z(CC0603ZRY5V9BB104Z 50V) | 0.1UF Z(CC0603ZRY5V9BB104Z 50V) YAGEO SMD or Through Hole | 0.1UF Z(CC0603ZRY5V9BB104Z 50V).pdf | |
![]() | AERL | AERL max 8 SOT-23 | AERL.pdf | |
![]() | MAC3060-4 | MAC3060-4 MOT SMD or Through Hole | MAC3060-4.pdf |