창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5262A (DO-35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 125옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 37V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5262A (DO-35) | |
관련 링크 | 1N5262A (, 1N5262A (DO-35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
MC14009BDW | MC14009BDW ON SOIC16 | MC14009BDW.pdf | ||
DB8500A3P2H32T | DB8500A3P2H32T ST BGA | DB8500A3P2H32T.pdf | ||
1L33153N | 1L33153N FAIRCHILD DIP-8 | 1L33153N.pdf | ||
BD8150ST/R | BD8150ST/R PANJIT TO-252DPAK | BD8150ST/R.pdf | ||
RMEMK105TH2R7JW-F | RMEMK105TH2R7JW-F SMD SMD | RMEMK105TH2R7JW-F.pdf | ||
W42C22A-07G | W42C22A-07G CYPRESS 3.9mm | W42C22A-07G.pdf | ||
NRLR221M200V20X25SF | NRLR221M200V20X25SF NICC SMD or Through Hole | NRLR221M200V20X25SF.pdf | ||
XC4013E-3BG225 | XC4013E-3BG225 XILINX BGA | XC4013E-3BG225.pdf | ||
SY2-1D155M-RA | SY2-1D155M-RA elna SMD or Through Hole | SY2-1D155M-RA.pdf |