창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5261A(DO-35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 105옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 36V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5261ADO35MSTR 1N5261ADO35MSTR-ND 1N5261BMSTR 1N5261BMSTR-ND 1N5261DO35 1N5261DO35MSTR 1N5261DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5261A(DO-35) | |
관련 링크 | 1N5261A(, 1N5261A(DO-35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
293D226X0010B2TE3 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1411 (3528 Metric) 1.9 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | 293D226X0010B2TE3.pdf | ||
![]() | EXB-34V6R2JV | RES ARRAY 2 RES 6.2 OHM 0606 | EXB-34V6R2JV.pdf | |
![]() | INB4004A | INB4004A ORIGINAL DIP14 | INB4004A.pdf | |
![]() | NE529H | NE529H PHI CAN | NE529H.pdf | |
![]() | LE82BWLG.QL53ES | LE82BWLG.QL53ES INTEL BGA | LE82BWLG.QL53ES.pdf | |
![]() | B41851K6338M008 | B41851K6338M008 EPCOS DIP | B41851K6338M008.pdf | |
![]() | SP000237222 | SP000237222 Infineon SMD or Through Hole | SP000237222.pdf | |
![]() | BM31B-SHLVS-G-TBT(LF)(SN) | BM31B-SHLVS-G-TBT(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | BM31B-SHLVS-G-TBT(LF)(SN).pdf | |
![]() | UPC7805HF | UPC7805HF NEC TO-220-3 | UPC7805HF.pdf | |
![]() | S80830 | S80830 SEIKO SMD or Through Hole | S80830.pdf | |
![]() | X84B1B | X84B1B TI TSOP | X84B1B.pdf | |
![]() | CPH5815-TL | CPH5815-TL SANYO SOT23-5 | CPH5815-TL.pdf |