창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5260B TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221B thru 1N5278B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 93옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 33V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5260B TR | |
| 관련 링크 | 1N5260, 1N5260B TR 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 | |
| UPM2C3R3MPD1TD | 3.3µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPM2C3R3MPD1TD.pdf | ||
![]() | B43601F2108M | 1000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 90 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43601F2108M.pdf | |
![]() | 34105C | 1mH Shielded Wirewound Inductor 90mA 15 Ohm Max Nonstandard | 34105C.pdf | |
![]() | H52018C | H52018C HARRIS SOP8 | H52018C.pdf | |
![]() | NH82801IEM QP24ES | NH82801IEM QP24ES INTEL BGA | NH82801IEM QP24ES.pdf | |
![]() | FS50ASJ-03F-T13 | FS50ASJ-03F-T13 RENESAS SMD or Through Hole | FS50ASJ-03F-T13.pdf | |
![]() | XL1501AS-5.0E1 | XL1501AS-5.0E1 XL TO263-5 | XL1501AS-5.0E1.pdf | |
![]() | PPC440GR-3JB533C | PPC440GR-3JB533C ORIGINAL SMD or Through Hole | PPC440GR-3JB533C.pdf | |
![]() | PD70-01C | PD70-01C EVERLIGHT SMD or Through Hole | PD70-01C.pdf | |
![]() | MB1511PFVGBNDEF | MB1511PFVGBNDEF FUJITSU SMD or Through Hole | MB1511PFVGBNDEF.pdf | |
![]() | TW29S800 | TW29S800 TW TSOP | TW29S800.pdf | |
![]() | ERJ14NF1103V | ERJ14NF1103V panasonic SMD | ERJ14NF1103V.pdf |