창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5258B (DO-35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 27V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5258B (DO-35) | |
관련 링크 | 1N5258B (, 1N5258B (DO-35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
B43504B5337M60 | 330µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 410 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504B5337M60.pdf | ||
416F32013ATR | 32MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32013ATR.pdf | ||
DSB1I60SA | DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA | DSB1I60SA.pdf | ||
2N6021. | 2N6021. FSC TO-126 | 2N6021..pdf | ||
CFS1/4CT52A102J | CFS1/4CT52A102J KOA DIP | CFS1/4CT52A102J.pdf | ||
NRWX3R3M50V8x11.5F | NRWX3R3M50V8x11.5F NIC DIP | NRWX3R3M50V8x11.5F.pdf | ||
CHAV0050J102000004 | CHAV0050J102000004 NISSEI 1206 | CHAV0050J102000004.pdf | ||
HZU5.1BTRF 5.1V | HZU5.1BTRF 5.1V RENESAS SOD-323 | HZU5.1BTRF 5.1V.pdf | ||
2SK484 | 2SK484 NEC TO-247 | 2SK484.pdf | ||
1SS312-BF | 1SS312-BF ORIGINAL SOT-323 | 1SS312-BF.pdf | ||
REF192HUAWEI-DIE | REF192HUAWEI-DIE AD SMD or Through Hole | REF192HUAWEI-DIE.pdf |