창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5257B-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221B~5267B-G | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 58옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 25V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5257B-G | |
| 관련 링크 | 1N525, 1N5257B-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | ES1B-E3/61T | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | ES1B-E3/61T.pdf | |
![]() | RCP2512B180RGTP | RES SMD 180 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B180RGTP.pdf | |
![]() | G539J000-1 | G539J000-1 EPSON SOJ4 | G539J000-1.pdf | |
![]() | SMA04115010K1%A1 | SMA04115010K1%A1 VISHAY SMD or Through Hole | SMA04115010K1%A1.pdf | |
![]() | 855060001 | 855060001 MOLEX Original Package | 855060001.pdf | |
![]() | 3050-(22R)-0.5 | 3050-(22R)-0.5 HYUJIN SMD or Through Hole | 3050-(22R)-0.5.pdf | |
![]() | OA-3R5V4R7ME3 | OA-3R5V4R7ME3 ELNA DIP | OA-3R5V4R7ME3.pdf | |
![]() | L64360A3 | L64360A3 LSI SMD or Through Hole | L64360A3.pdf | |
![]() | SHT75-DIP | SHT75-DIP SENSIRION SMD or Through Hole | SHT75-DIP.pdf | |
![]() | 0603N100G101 | 0603N100G101 ORIGINAL SMD | 0603N100G101.pdf | |
![]() | LP2950ACDT3.3RKG | LP2950ACDT3.3RKG ON SMD or Through Hole | LP2950ACDT3.3RKG.pdf | |
![]() | M022SLB | M022SLB ORIGINAL SMD or Through Hole | M022SLB.pdf |