창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5254C-TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 10,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 41옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 21V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5254C-TR | |
관련 링크 | 1N5254, 1N5254C-TR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MRT 160AMMO | FUSE BRD MNT 160MA 250VAC RADIAL | MRT 160AMMO.pdf | |
![]() | 4P050F35IST | 5MHz ±30ppm 수정 시리즈 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P050F35IST.pdf | |
![]() | ASTMHTFL-32.000MHZ-AJ-E-T3 | 32MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-32.000MHZ-AJ-E-T3.pdf | |
![]() | IS61S6464-6PQ | IS61S6464-6PQ ISSI QFP | IS61S6464-6PQ.pdf | |
![]() | JA58560-14 | JA58560-14 N/A SOP-18 | JA58560-14.pdf | |
![]() | PCF2123U/10AA/1,00 | PCF2123U/10AA/1,00 NXP NAU000 | PCF2123U/10AA/1,00.pdf | |
![]() | RC2010JR-076R2L 2010 6.2R | RC2010JR-076R2L 2010 6.2R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2010JR-076R2L 2010 6.2R.pdf | |
![]() | MFEV523,598 | MFEV523,598 PH SMD or Through Hole | MFEV523,598.pdf | |
![]() | VJ1812Y824KXAMT | VJ1812Y824KXAMT VISHAY SMD or Through Hole | VJ1812Y824KXAMT.pdf | |
![]() | CRXDW | CRXDW ORIGINAL SMD or Through Hole | CRXDW.pdf | |
![]() | NSPC102J50TRA1(0805) | NSPC102J50TRA1(0805) PAN SMD or Through Hole | NSPC102J50TRA1(0805).pdf |