창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5251BTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221B - 63B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 29옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 17V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 1N5251BTRFS-ND 1N5251BTRFSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5251BTR | |
| 관련 링크 | 1N525, 1N5251BTR 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B43305F2128M87 | 1200µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 110 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305F2128M87.pdf | |
![]() | CSX750FJC64.000MUT | CSX750FJC64.000MUT CITIZEN SMD or Through Hole | CSX750FJC64.000MUT.pdf | |
![]() | D152424S-1W | D152424S-1W SUC SIP | D152424S-1W.pdf | |
![]() | 1023635-0003 | 1023635-0003 HUGHES BGA | 1023635-0003.pdf | |
![]() | 44256 | 44256 TOS DIP | 44256.pdf | |
![]() | 414J/2HH | 414J/2HH EBM/PAPST SMD or Through Hole | 414J/2HH.pdf | |
![]() | V9MLA0603N | V9MLA0603N LITTLEFUS SMD or Through Hole | V9MLA0603N.pdf | |
![]() | 22-0029-00A 16D2HF1042 | 22-0029-00A 16D2HF1042 ORIGINAL QFP | 22-0029-00A 16D2HF1042.pdf | |
![]() | ECA1085 | ECA1085 ECMOS TO-263 | ECA1085.pdf | |
![]() | 79RV4640-267DU | 79RV4640-267DU IDT QFP-128 | 79RV4640-267DU.pdf | |
![]() | XC2S600E-7FGG676I | XC2S600E-7FGG676I ORIGINAL SMD or Through Hole | XC2S600E-7FGG676I.pdf | |
![]() | TC58FVB641FT-85 | TC58FVB641FT-85 TCSHIBA TSOP48 | TC58FVB641FT-85.pdf |