창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5251BDO35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 29옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 17V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5251B(DO-35)MSTR 1N5251BDO35MSTR 1N5251BDO35MSTR-ND 1N5251BMSTR 1N5251BMSTR-ND 1N5251DO35 1N5251DO35MSTR 1N5251DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5251BDO35 | |
관련 링크 | 1N5251, 1N5251BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D510JXAAP | 51pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D510JXAAP.pdf | |
![]() | SP1210-153J | 15µH Shielded Wirewound Inductor 336mA 1.8 Ohm Max Nonstandard | SP1210-153J.pdf | |
![]() | RC2010FK-072R4L | RES SMD 2.4 OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-072R4L.pdf | |
![]() | AT1206CRD0757K6L | RES SMD 57.6KOHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD0757K6L.pdf | |
![]() | 4308R-101-471LF | RES ARRAY 7 RES 470 OHM 8SIP | 4308R-101-471LF.pdf | |
![]() | HRB0805S300P4.00FT | HRB0805S300P4.00FT AEM SMD | HRB0805S300P4.00FT.pdf | |
![]() | SI-7235E | SI-7235E SANKEN SMD or Through Hole | SI-7235E.pdf | |
![]() | CGA3E2C0G2A681J | CGA3E2C0G2A681J TDK SMD | CGA3E2C0G2A681J.pdf | |
![]() | EN25F80-75HCPTR | EN25F80-75HCPTR EON SMD or Through Hole | EN25F80-75HCPTR.pdf | |
![]() | HD64F2238BP | HD64F2238BP HITACHI BGA-112P | HD64F2238BP.pdf | |
![]() | NJU7751F | NJU7751F JRC SOT23-5 | NJU7751F.pdf | |
![]() | URZ1A470MCD | URZ1A470MCD NICHICON SMD or Through Hole | URZ1A470MCD.pdf |