창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5248BTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221B - 63B | |
카탈로그 페이지 | 1607 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 21옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 14V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 1N5248BFSTR 1N5248BTRFS-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5248BTR | |
관련 링크 | 1N524, 1N5248BTR 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | RG2012V-4420-D-T5 | RES SMD 442 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012V-4420-D-T5.pdf | |
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![]() | XC2V2000-4BFG957I | XC2V2000-4BFG957I XILINL BGA | XC2V2000-4BFG957I.pdf | |
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![]() | B41044A5477M000 | B41044A5477M000 EPCOS DIP | B41044A5477M000.pdf | |
![]() | ERJP8RD5620V | ERJP8RD5620V ORIGINAL SMD or Through Hole | ERJP8RD5620V.pdf | |
![]() | AT28HC256DI | AT28HC256DI AT DIP | AT28HC256DI.pdf | |
![]() | LTD-6341G | LTD-6341G LITEON ROHS | LTD-6341G.pdf | |
![]() | SMA6252A20053GT50G50 | SMA6252A20053GT50G50 AMPHENOL SMD or Through Hole | SMA6252A20053GT50G50.pdf | |
![]() | R4F2117VBG20V | R4F2117VBG20V RENESAS SMD or Through Hole | R4F2117VBG20V.pdf |