창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5248A (DO-35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 21옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 13.3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5248A (DO-35) | |
관련 링크 | 1N5248A (, 1N5248A (DO-35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001AI2-080.0000 | 80MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 8.7mA Standby (Power Down) | DSC1001AI2-080.0000.pdf | |
![]() | S3J-TP | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | S3J-TP.pdf | |
![]() | RG1608N-1911-D-T5 | RES SMD 1.91KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-1911-D-T5.pdf | |
![]() | LV5809NMX-TLM-H | LV5809NMX-TLM-H SANYO SOP8 | LV5809NMX-TLM-H.pdf | |
![]() | AME8755BEY180280 | AME8755BEY180280 AMEINC SOT23-6 | AME8755BEY180280.pdf | |
![]() | A6841ELW-20-T | A6841ELW-20-T ALLEGRO SMD or Through Hole | A6841ELW-20-T.pdf | |
![]() | E1F4B | E1F4B NO SMD or Through Hole | E1F4B.pdf | |
![]() | 4376011 | 4376011 ST BGA | 4376011.pdf | |
![]() | 1206N471F500LG | 1206N471F500LG ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206N471F500LG.pdf | |
![]() | SQ30034-53.125M | SQ30034-53.125M PLETRONICS SMD | SQ30034-53.125M.pdf | |
![]() | UET | UET ORIGINAL SOT23-5 | UET.pdf | |
![]() | AM29LV160 | AM29LV160 AMD BGA | AM29LV160.pdf |