창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5245BDO35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 16옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5245B(DO-35)MSTR 1N5245BDO35MSTR 1N5245BDO35MSTR-ND 1N5245BMSTR 1N5245BMSTR-ND 1N5245DO35 1N5245DO35MSTR 1N5245DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5245BDO35 | |
관련 링크 | 1N5245, 1N5245BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 17104 | 17104 LT QFN | 17104.pdf | |
![]() | EMIC31B222MANC | EMIC31B222MANC SAMSUNG SMD or Through Hole | EMIC31B222MANC.pdf | |
![]() | ELC06D4R7E | ELC06D4R7E PANASONIC DIP | ELC06D4R7E.pdf | |
![]() | 74LS254N | 74LS254N TI DIP | 74LS254N.pdf | |
![]() | ADC10D1000QML | ADC10D1000QML NATIONAL Navis | ADC10D1000QML.pdf | |
![]() | MN101C427XF | MN101C427XF Panasonic TQFP | MN101C427XF.pdf | |
![]() | 10-88-1241 | 10-88-1241 AIMELECTRONICS SMD or Through Hole | 10-88-1241.pdf | |
![]() | BGE885,112 | BGE885,112 NXP SMD or Through Hole | BGE885,112.pdf | |
![]() | 440Go GeForce4 NV17M | 440Go GeForce4 NV17M nvidia BGA | 440Go GeForce4 NV17M.pdf | |
![]() | NPR1TTE0.15RJ | NPR1TTE0.15RJ KOA SMD | NPR1TTE0.15RJ.pdf | |
![]() | LH0032CG* | LH0032CG* NS SMD or Through Hole | LH0032CG*.pdf | |
![]() | RM533024 | RM533024 ORIGINAL DIP | RM533024.pdf |