창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5243C-TAP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 9.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5243C-TAP | |
| 관련 링크 | 1N5243, 1N5243C-TAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | E82D1C1VSD123MB90T | CAP ALUM 12000UF 125V RADIAL | E82D1C1VSD123MB90T.pdf | |
![]() | 402F20411CKR | 20.48MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20411CKR.pdf | |
![]() | 36502A10NGTDG | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 100 mOhm Max Nonstandard | 36502A10NGTDG.pdf | |
![]() | E3S-R1C4 | E3S-R1C4 OMRON DIP | E3S-R1C4.pdf | |
![]() | 121EJ | 121EJ ORIGINAL TO92 | 121EJ.pdf | |
![]() | SG3731J/883B | SG3731J/883B ORIGINAL CDIP | SG3731J/883B.pdf | |
![]() | DS21348G+T | DS21348G+T DALLAS CSBGA49 | DS21348G+T.pdf | |
![]() | RK73H2BTDF3K3-1%-1206 | RK73H2BTDF3K3-1%-1206 KOA SMD or Through Hole | RK73H2BTDF3K3-1%-1206.pdf | |
![]() | RGP02-18 | RGP02-18 VIHSAY DO-41 | RGP02-18.pdf | |
![]() | TC4069UBD | TC4069UBD TOSHIBA DIP14 | TC4069UBD.pdf | |
![]() | 8AMLB-321611-0150A-N | 8AMLB-321611-0150A-N ORIGINAL SMD | 8AMLB-321611-0150A-N.pdf | |
![]() | TCSCM0J475MKAR | TCSCM0J475MKAR SAMSUNG SMT | TCSCM0J475MKAR.pdf |