창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5243B-TAP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221B to 1N5267B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 9.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5243B-TAPGITB | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5243B-TAP | |
관련 링크 | 1N5243, 1N5243B-TAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1N3766R | DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5 | 1N3766R.pdf | |
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![]() | AS4LC1M16E5-50TI | AS4LC1M16E5-50TI ALLIANCE SMD or Through Hole | AS4LC1M16E5-50TI.pdf | |
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![]() | WP91366L3T | WP91366L3T FAIRCHILD SOT-23 | WP91366L3T.pdf | |
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![]() | K4S640432C-TL70 | K4S640432C-TL70 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S640432C-TL70.pdf | |
![]() | JFM38U1CL1U1W | JFM38U1CL1U1W FOX CONN | JFM38U1CL1U1W.pdf |