창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5243B-T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221B - 1N5267B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 9.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1034-1N5243BDICT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5243B-T | |
| 관련 링크 | 1N524, 1N5243B-T 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CBR08C109ACGAC | 1pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C109ACGAC.pdf | |
![]() | 06035A2R2JAT2A | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A2R2JAT2A.pdf | |
![]() | ERJ-S12F6981U | RES SMD 6.98K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F6981U.pdf | |
![]() | H818KCBA | RES 18.0K OHM 1/4W 0.25% AXIAL | H818KCBA.pdf | |
![]() | 1227AS-H-4R7M | 1227AS-H-4R7M TOKO SMD | 1227AS-H-4R7M.pdf | |
![]() | CNY75BSMTR | CNY75BSMTR ISOCOM DIPSOP | CNY75BSMTR.pdf | |
![]() | NNR220M50V8x11.5F | NNR220M50V8x11.5F NIC DIP | NNR220M50V8x11.5F.pdf | |
![]() | 3362P-500K | 3362P-500K BOURNS/ SMD or Through Hole | 3362P-500K.pdf | |
![]() | LT3835#PBF | LT3835#PBF LT QFN20 | LT3835#PBF.pdf | |
![]() | K4S64322E-TC50 | K4S64322E-TC50 SAMSUNG SOP | K4S64322E-TC50.pdf | |
![]() | MG8206-1 | MG8206-1 ORIGINAL PGA | MG8206-1.pdf |