창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5240B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221B - 63B | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5240B | |
| 관련 링크 | 1N52, 1N5240B 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 8Y-27.120MEEQ-T | 27.12MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Y-27.120MEEQ-T.pdf | |
![]() | 416F250X2ALT | 25MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X2ALT.pdf | |
![]() | P51-2000-A-S-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Female - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-A-S-I36-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | SSC2411Y | SSC2411Y AUK SOT-23 | SSC2411Y.pdf | |
![]() | HA11585FP-EL | HA11585FP-EL HITACHI SOP | HA11585FP-EL.pdf | |
![]() | XC2S30-7VQG100I | XC2S30-7VQG100I XILINX QFP | XC2S30-7VQG100I.pdf | |
![]() | STG3157CTR NOPB | STG3157CTR NOPB ST SC70-6 | STG3157CTR NOPB.pdf | |
![]() | TC511632FL-10EL | TC511632FL-10EL TOS SOP | TC511632FL-10EL.pdf | |
![]() | NG80386SXL-20 | NG80386SXL-20 ORIGINAL QFP | NG80386SXL-20.pdf | |
![]() | HD64F2319CVF25V | HD64F2319CVF25V Renesas PRQP0100JE-B | HD64F2319CVF25V.pdf | |
![]() | NTR4170NT1G TEL:82766440 | NTR4170NT1G TEL:82766440 ON SMD or Through Hole | NTR4170NT1G TEL:82766440.pdf |