창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5236BDO35E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 1N5236BDO35E3MSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5236BDO35E3 | |
| 관련 링크 | 1N5236B, 1N5236BDO35E3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | T95R107K025LAZS | 100µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 2824 (7260 Metric) 200 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | T95R107K025LAZS.pdf | |
![]() | FDB12N50TM | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | FDB12N50TM.pdf | |
![]() | AC2512JK-071K8L | RES SMD 1.8K OHM 5% 1W 2512 | AC2512JK-071K8L.pdf | |
![]() | 83F1R21 | RES 1.21 OHM 3W 1% AXIAL | 83F1R21.pdf | |
![]() | GF147 | GF147 ORIGINAL CAN | GF147.pdf | |
![]() | NT2527R-T8R | NT2527R-T8R ORIGINAL SSOP28 | NT2527R-T8R.pdf | |
![]() | FGA25N135ANDTU | FGA25N135ANDTU FSC ORIGINAL | FGA25N135ANDTU.pdf | |
![]() | IDT7M864L150CB | IDT7M864L150CB IDT CDIP | IDT7M864L150CB.pdf | |
![]() | BA5961 | BA5961 ROHM DIPSOP | BA5961.pdf | |
![]() | S-8261AAOMD-G2O-T2S | S-8261AAOMD-G2O-T2S SII SOT23-6 | S-8261AAOMD-G2O-T2S.pdf | |
![]() | MUBW30-06AT | MUBW30-06AT IXYS SMD or Through Hole | MUBW30-06AT.pdf | |
![]() | 54F378/BEAJC | 54F378/BEAJC MOTO DIP | 54F378/BEAJC.pdf |