창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5235BTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221B - 63B | |
카탈로그 페이지 | 1607 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 1N5235BFSTR 1N5235BTRFS-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5235BTR | |
관련 링크 | 1N523, 1N5235BTR 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | LP060F23CDT | 60MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP060F23CDT.pdf | |
![]() | VS-6F80 | DIODE GEN PURP 800V 6A DO203AA | VS-6F80.pdf | |
![]() | PT2010FK-7W0R18L | RES SMD 0.18 OHM 1% 1W 2010 | PT2010FK-7W0R18L.pdf | |
![]() | RW2S0DAR010JT | RES SMD 0.01 OHM 5% 2W J LEAD | RW2S0DAR010JT.pdf | |
![]() | TL750M12QKTTRQ1 | TL750M12QKTTRQ1 TI/BB DDPAKTO-263 | TL750M12QKTTRQ1.pdf | |
![]() | RG201A | RG201A ICON ROGUE | RG201A.pdf | |
![]() | YY-TPD-SMD3528-60PCS | YY-TPD-SMD3528-60PCS ORIGINAL SMD or Through Hole | YY-TPD-SMD3528-60PCS.pdf | |
![]() | KXPC823VR66B2T | KXPC823VR66B2T FREESCAL BGA | KXPC823VR66B2T.pdf | |
![]() | LS20056 | LS20056 LOCOSYS SMD | LS20056.pdf | |
![]() | TLP330-F | TLP330-F TOSHIBA DIP-6 | TLP330-F.pdf | |
![]() | 97-3106A-18-1S(946) | 97-3106A-18-1S(946) AMPHENOLTECH NA | 97-3106A-18-1S(946).pdf | |
![]() | MC74HC540AP | MC74HC540AP ORIGINAL DIP | MC74HC540AP.pdf |