창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5235BTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221B - 63B | |
카탈로그 페이지 | 1607 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 1N5235BFSTR 1N5235BTRFS-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5235BTR | |
관련 링크 | 1N523, 1N5235BTR 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SJPL-L4VR | DIODE GEN PURP 400V 3A SJP | SJPL-L4VR.pdf | |
![]() | BZX584C24-V-G-08 | DIODE ZENER 24V 200MW SOD523 | BZX584C24-V-G-08.pdf | |
![]() | MLJ1608WR22JT000 | 220nH Shielded Multilayer Inductor 600mA 260 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLJ1608WR22JT000.pdf | |
![]() | TLV320AIC23BT | TLV320AIC23BT TI TSSOP-28 | TLV320AIC23BT.pdf | |
![]() | SCC68692E1A44-T-CT | SCC68692E1A44-T-CT XR SMD or Through Hole | SCC68692E1A44-T-CT.pdf | |
![]() | AO1424L | AO1424L AO SMD-8 | AO1424L.pdf | |
![]() | AD1861N-K | AD1861N-K AD DIP16 | AD1861N-K.pdf | |
![]() | 1N5097 | 1N5097 MICROSEMI SMD | 1N5097.pdf | |
![]() | TLE2021AMFKB | TLE2021AMFKB TI DIP | TLE2021AMFKB.pdf | |
![]() | XC17128EPDG8C | XC17128EPDG8C XILINX SMD or Through Hole | XC17128EPDG8C.pdf | |
![]() | ES2B-A SMA | ES2B-A SMA ORIGINAL SMD or Through Hole | ES2B-A SMA.pdf |