창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5230B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221B - 63B | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 19옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5230B | |
| 관련 링크 | 1N52, 1N5230B 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FESB8JT-E3/81 | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | FESB8JT-E3/81.pdf | |
![]() | S1812R-472F | 4.7µH Shielded Inductor 471mA 900 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-472F.pdf | |
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![]() | CRCW25121M13FKEG | RES SMD 1.13M OHM 1% 1W 2512 | CRCW25121M13FKEG.pdf | |
![]() | MMSZ5254B 27V | MMSZ5254B 27V ON SOD123 | MMSZ5254B 27V.pdf | |
![]() | SF-T8021 | SF-T8021 ORIGINAL SMD or Through Hole | SF-T8021.pdf | |
![]() | STK428-640-E | STK428-640-E SANYO HYB-28 | STK428-640-E.pdf | |
![]() | SB5315E-G | SB5315E-G AUK PB-FREE | SB5315E-G.pdf | |
![]() | 0612COG330K050P07 | 0612COG330K050P07 EPCOS SMD or Through Hole | 0612COG330K050P07.pdf | |
![]() | AM90N04-03P | AM90N04-03P ORIGINAL TO-220 | AM90N04-03P.pdf | |
![]() | 606-1211-110F | 606-1211-110F DIALIGHT SMD or Through Hole | 606-1211-110F.pdf | |
![]() | HD6433842RD30WV | HD6433842RD30WV RENESAS SMD or Through Hole | HD6433842RD30WV.pdf |