창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5227(GDZ3.6B) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 1N5227(GDZ3.6B) | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | ZENERDIODE3.6V12 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 1N5227(GDZ3.6B) | |
관련 링크 | 1N5227(GD, 1N5227(GDZ3.6B) 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D361GXAAJ | 360pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D361GXAAJ.pdf | |
![]() | MKP385447085JKM2T0 | 0.47µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | MKP385447085JKM2T0.pdf | |
![]() | 416F480X2ILT | 48MHz ±15ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480X2ILT.pdf | |
![]() | IXTN200N10L2 | MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 | IXTN200N10L2.pdf | |
![]() | ALD910016SAL | MOSFET DUAL SAB 1.60V EE 8SOIC | ALD910016SAL.pdf | |
![]() | RG1608Q-11R3-D-T5 | RES SMD 11.3 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608Q-11R3-D-T5.pdf | |
![]() | PAT0603E2211BST1 | RES SMD 2.21KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E2211BST1.pdf | |
![]() | RT1210WRD0727K4L | RES SMD 27.4KOHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD0727K4L.pdf | |
![]() | TSW-6B | TSW-6B SHINMEI SMD or Through Hole | TSW-6B.pdf | |
![]() | DF13-8P-1.25H | DF13-8P-1.25H HRS SMD or Through Hole | DF13-8P-1.25H.pdf | |
![]() | AD7512DIK | AD7512DIK ORIGINAL SMD or Through Hole | AD7512DIK.pdf | |
![]() | MG3010 12.2880MHz | MG3010 12.2880MHz ORIGINAL DIP-14 | MG3010 12.2880MHz.pdf |