창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5226BTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221-63B | |
| 카탈로그 페이지 | 1607 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 28옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 1N5226BTRFS-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5226BTR | |
| 관련 링크 | 1N522, 1N5226BTR 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 564RC0GAA202EF200J | 20pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 | 564RC0GAA202EF200J.pdf | |
![]() | RMCP2010FT34R0 | RES SMD 34 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT34R0.pdf | |
![]() | CMH322522-R33KL | 330nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 400 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | CMH322522-R33KL.pdf | |
![]() | 2SA1362-GR(T5L | 2SA1362-GR(T5L TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SA1362-GR(T5L.pdf | |
![]() | PN800 (CD) | PN800 (CD) VIA BGA | PN800 (CD).pdf | |
![]() | R5U879 | R5U879 RICOH QFN48P | R5U879.pdf | |
![]() | 1N4751A.TR | 1N4751A.TR FAIRCHILD SMD or Through Hole | 1N4751A.TR.pdf | |
![]() | LS15B2-T | LS15B2-T CITIZEN SMD | LS15B2-T.pdf | |
![]() | FS781BTT | FS781BTT CYPRESS TSSOP | FS781BTT.pdf | |
![]() | IDT39C01DDB | IDT39C01DDB IDT CDIP | IDT39C01DDB.pdf | |
![]() | BRY25 | BRY25 PH CAN | BRY25.pdf | |
![]() | G60N90DG3 (TO-3PL) | G60N90DG3 (TO-3PL) ORIGINAL SMD or Through Hole | G60N90DG3 (TO-3PL).pdf |