창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5222B-TAP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221B to 1N5267B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.5V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5222B-TAP | |
| 관련 링크 | 1N5222, 1N5222B-TAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | Z02W30V | Z02W30V KEC SMD or Through Hole | Z02W30V.pdf | |
![]() | HI1-562/883 | HI1-562/883 ORIGINAL CDIP | HI1-562/883.pdf | |
![]() | P8062BH | P8062BH INTEL DIP | P8062BH.pdf | |
![]() | SH3011150YLB | SH3011150YLB ABC SMD or Through Hole | SH3011150YLB.pdf | |
![]() | ORWH-SH-148D | ORWH-SH-148D OEG SMD or Through Hole | ORWH-SH-148D.pdf | |
![]() | CP2206 | CP2206 ENE SSOP30 | CP2206.pdf | |
![]() | MUR1560CT | MUR1560CT ON 8K1 | MUR1560CT.pdf | |
![]() | KM681000ALG-5 | KM681000ALG-5 SAMSUNG TSOP | KM681000ALG-5.pdf | |
![]() | K6X4008TIF-GB70 | K6X4008TIF-GB70 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6X4008TIF-GB70.pdf | |
![]() | P614BN-0757Z-P3 | P614BN-0757Z-P3 TOKO SMD or Through Hole | P614BN-0757Z-P3.pdf | |
![]() | 38706-0016 | 38706-0016 COILCRAFT SMD or Through Hole | 38706-0016.pdf | |
![]() | S-80928ANMP-DDR-T2 ST153-DDR | S-80928ANMP-DDR-T2 ST153-DDR SEIKO SMD or Through Hole | S-80928ANMP-DDR-T2 ST153-DDR.pdf |