창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5221BDO35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.4V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5221B 1N5221BDO35MSTR 1N5221BMSTR 1N5221BMSTR-ND 1N5221DO35 1N5221DO35MSTR 1N5221DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5221BDO35 | |
관련 링크 | 1N5221, 1N5221BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
251R15S221JV4E | 220pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S221JV4E.pdf | ||
VJ1206Y563KBBAT4X | 0.056µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y563KBBAT4X.pdf | ||
ASTMHTE-50.000MHZ-AJ-E-T | 50MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-50.000MHZ-AJ-E-T.pdf | ||
CP0007820R0JE66 | RES 820 OHM 7W 5% AXIAL | CP0007820R0JE66.pdf | ||
CMF603R6500FLBF | RES 3.65 OHM 1W 1% AXIAL | CMF603R6500FLBF.pdf | ||
100N08N | 100N08N Infineon TO-220 | 100N08N.pdf | ||
MJ421 | MJ421 MOT SMD or Through Hole | MJ421.pdf | ||
60-201-20K | 60-201-20K ORIGINAL SMD or Through Hole | 60-201-20K.pdf | ||
47MFD16VDC | 47MFD16VDC TRANSCEND SMD or Through Hole | 47MFD16VDC.pdf | ||
APA2616 | APA2616 ANPEC DIP20 | APA2616.pdf | ||
2SK0065-P1/P2 | 2SK0065-P1/P2 Panasonic TO-92S | 2SK0065-P1/P2.pdf | ||
KTA1266GR-AT/P | KTA1266GR-AT/P KEC SMD or Through Hole | KTA1266GR-AT/P.pdf |