창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5188 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5186-88, 1N5190 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 9A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 250ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 400V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | B, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | - | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5188 | |
관련 링크 | 1N5, 1N5188 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
FK18X5R1C105K | 1µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FK18X5R1C105K.pdf | ||
![]() | CDV30EF820JO3 | MICA | CDV30EF820JO3.pdf | |
![]() | S1210R-332J | 3.3µH Shielded Inductor 449mA 800 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-332J.pdf | |
![]() | ERJ-1GNF1743C | RES SMD 174K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF1743C.pdf | |
![]() | YC162-FR-0730K9L | RES ARRAY 2 RES 30.9K OHM 0606 | YC162-FR-0730K9L.pdf | |
![]() | RNF12FTD698K | RES 698K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD698K.pdf | |
![]() | H4P301KDZA | RES 301K OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P301KDZA.pdf | |
![]() | LSC414098FU16 | LSC414098FU16 MOTOROLA QFP | LSC414098FU16.pdf | |
![]() | EP2-4N3T | EP2-4N3T NEC SMD or Through Hole | EP2-4N3T.pdf | |
![]() | GBU606-P | GBU606-P ORIGINAL SMD or Through Hole | GBU606-P.pdf | |
![]() | SDMSM2-2048-P36M | SDMSM2-2048-P36M SanDisk/Retail 2GB Memory Stick Mic | SDMSM2-2048-P36M.pdf | |
![]() | CL21A475KQFNNNE(6.3V/4.7uF) | CL21A475KQFNNNE(6.3V/4.7uF) SAMSUNG SMD or Through Hole | CL21A475KQFNNNE(6.3V/4.7uF).pdf |