창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4996US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 390V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1800옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 297V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4996US | |
관련 링크 | 1N49, 1N4996US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
35NXA22MEFC5X11 | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | 35NXA22MEFC5X11.pdf | ||
416F384XXCDR | 38.4MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384XXCDR.pdf | ||
ERJ-1TNF2870U | RES SMD 287 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF2870U.pdf | ||
AT89C51ED2-RDTUM | AT89C51ED2-RDTUM ATMEL Standard | AT89C51ED2-RDTUM.pdf | ||
AK4393VE | AK4393VE ORIGINAL SMD | AK4393VE.pdf | ||
1-102241-4 | 1-102241-4 TYCO/AMP SMD or Through Hole | 1-102241-4.pdf | ||
VTII8874B-GEQ | VTII8874B-GEQ VASTVIEW QFP-208 | VTII8874B-GEQ.pdf | ||
MA8360H(TX) 0805-36V | MA8360H(TX) 0805-36V Panasonic/ SOD-323 0805 | MA8360H(TX) 0805-36V.pdf | ||
FDC20-24S15W | FDC20-24S15W P-DUKE DIP | FDC20-24S15W.pdf | ||
BCR16AM-7 | BCR16AM-7 ORIGINAL TO-220 | BCR16AM-7.pdf | ||
UPD4516161AG5-A80-9N | UPD4516161AG5-A80-9N NEC SOIC | UPD4516161AG5-A80-9N.pdf | ||
LM336J | LM336J ST TO92 | LM336J.pdf |