창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4986US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 330옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 114V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4986US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4986US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RNF14FAD866R-1K | RES 866 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FAD866R-1K.pdf | |
![]() | TCKID335BT | TCKID335BT CAL-CHIP ORIGINAL | TCKID335BT.pdf | |
![]() | UPD780033CW014 | UPD780033CW014 NEC DIP-64 | UPD780033CW014.pdf | |
![]() | L7805C-T | L7805C-T ST/SGS TO-3 | L7805C-T.pdf | |
![]() | T1-5618B-5 | T1-5618B-5 ORIGINAL CDIP18 | T1-5618B-5.pdf | |
![]() | TSBP3X6 | TSBP3X6 FUJITA SMD | TSBP3X6.pdf | |
![]() | M5M465405AJ | M5M465405AJ MIT SOJ | M5M465405AJ.pdf | |
![]() | DTA123YK T146(52) | DTA123YK T146(52) ROHM SOT23 | DTA123YK T146(52).pdf | |
![]() | BCR10PM-12R | BCR10PM-12R ORIGINAL TO-220F | BCR10PM-12R.pdf | |
![]() | 293D226X9016C2W | 293D226X9016C2W VISHAY SMD or Through Hole | 293D226X9016C2W.pdf | |
![]() | TL331IDRG4BVR | TL331IDRG4BVR TI SMD or Through Hole | TL331IDRG4BVR.pdf |