창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4985 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xx,59xx,66xx | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 190옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 98.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | E, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4985 | |
| 관련 링크 | 1N4, 1N4985 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CDC5D23BNP-680KC | 68µH Unshielded Inductor 410mA 715 mOhm Max Nonstandard | CDC5D23BNP-680KC.pdf | |
![]() | MRS25000C8662FRP00 | RES 86.6K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C8662FRP00.pdf | |
![]() | CMF202K0000GKEA | RES 2K OHM 1W 2% AXIAL | CMF202K0000GKEA.pdf | |
![]() | P51-300-A-F-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-A-F-I12-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | BL-HX134C-AV-TRB | BL-HX134C-AV-TRB BRIGHT PB-FREE | BL-HX134C-AV-TRB.pdf | |
![]() | M2764A-2F1I | M2764A-2F1I ST DIP-28 | M2764A-2F1I.pdf | |
![]() | 35328ZF | 35328ZF HIT QFP-80 | 35328ZF.pdf | |
![]() | BTS432E2SMD | BTS432E2SMD INFINEON SMD or Through Hole | BTS432E2SMD.pdf | |
![]() | MR-270.10 | MR-270.10 MENTOR SMD or Through Hole | MR-270.10.pdf | |
![]() | P0915N-FC15BR100K | P0915N-FC15BR100K BI SMD or Through Hole | P0915N-FC15BR100K.pdf | |
![]() | TC58NVG3D4CTGI0 | TC58NVG3D4CTGI0 Toshiba TSOP | TC58NVG3D4CTGI0.pdf | |
![]() | LT1804IS8#TR | LT1804IS8#TR LINEAR SOP8 | LT1804IS8#TR.pdf |