창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4980US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 62.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | E-MELF | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4980US | |
관련 링크 | 1N49, 1N4980US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 0233010.MXEP | FUSE GLASS 10A 125VAC 5X20MM | 0233010.MXEP.pdf | |
![]() | 416F400XXAST | 40MHz ±15ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F400XXAST.pdf | |
![]() | CMF551K6900FKRE | RES 1.69K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K6900FKRE.pdf | |
![]() | 15-41-8008 | 15-41-8008 Delphi SMD or Through Hole | 15-41-8008.pdf | |
![]() | ERG1SJP221S | ERG1SJP221S N/A SMD or Through Hole | ERG1SJP221S.pdf | |
![]() | STM706TAM6F | STM706TAM6F ST SOP8 | STM706TAM6F.pdf | |
![]() | MAX536BCWE+T | MAX536BCWE+T MAXIM SOP16 | MAX536BCWE+T.pdf | |
![]() | G84-4400PPBUS | G84-4400PPBUS NKK SMD or Through Hole | G84-4400PPBUS.pdf | |
![]() | C4520C0G3F390K | C4520C0G3F390K TDK SMD | C4520C0G3F390K.pdf | |
![]() | NJM2903M.TE3 | NJM2903M.TE3 JRC SOP | NJM2903M.TE3.pdf | |
![]() | 74HC4066D/G | 74HC4066D/G NXP SOP14 | 74HC4066D/G.pdf |