창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4979US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 55옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 56V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4979US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4979US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CJT12003R3JJ | RES CHAS MNT 3.3 OHM 5% 1200W | CJT12003R3JJ.pdf | |
![]() | D7503JN | D7503JN ADI DIP-16 | D7503JN.pdf | |
![]() | PEB31666H V1.3 | PEB31666H V1.3 INFINEON BGA | PEB31666H V1.3.pdf | |
![]() | 10572BEBJC | 10572BEBJC MOTOROLA CDIP | 10572BEBJC.pdf | |
![]() | TH008 | TH008 ORIGINAL SMD or Through Hole | TH008.pdf | |
![]() | AO14140 | AO14140 IR TO-251A | AO14140.pdf | |
![]() | K817PS | K817PS VISHAY SMD or Through Hole | K817PS.pdf | |
![]() | MAX634CPA | MAX634CPA MAXIM DIP-8 | MAX634CPA.pdf | |
![]() | 82N04UG | 82N04UG NEC TO-263 | 82N04UG.pdf | |
![]() | S9048 | S9048 NS PLCC | S9048.pdf | |
![]() | 5242472-001 ARINC | 5242472-001 ARINC SCI FP36 | 5242472-001 ARINC.pdf | |
![]() | SR732BTTDR120F | SR732BTTDR120F KOA SMD-0.12RF | SR732BTTDR120F.pdf |