창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4979 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xx,59xx,66xx | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 55옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 56V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | E, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4979 | |
| 관련 링크 | 1N4, 1N4979 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | NLV32T-1R5J-EF | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-1R5J-EF.pdf | |
![]() | AC2010FK-0730RL | RES SMD 30 OHM 1% 3/4W 2010 | AC2010FK-0730RL.pdf | |
![]() | EXB-D10C332J | RES ARRAY 8 RES 3.3K OHM 1206 | EXB-D10C332J.pdf | |
![]() | TA2131FNG | TA2131FNG TOSHIBA SOP | TA2131FNG.pdf | |
![]() | 1W24A | 1W24A ROHM DO-214AC | 1W24A.pdf | |
![]() | CY7C264-40WI | CY7C264-40WI CYP SMD or Through Hole | CY7C264-40WI.pdf | |
![]() | C434C | C434C GES Module | C434C.pdf | |
![]() | KA555DTF_NL | KA555DTF_NL FSC SOP8 | KA555DTF_NL.pdf | |
![]() | LSST670J0 | LSST670J0 SIEMENS SMD or Through Hole | LSST670J0.pdf | |
![]() | 95NEC.F | 95NEC.F BZD SOP32 | 95NEC.F.pdf | |
![]() | EUP3408-1.2 | EUP3408-1.2 EUTECH SOT23-5TSOT23-5 | EUP3408-1.2.pdf | |
![]() | UPD75CG208EA | UPD75CG208EA NEC QFP | UPD75CG208EA.pdf |