창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4976US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 42.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4976US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4976US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CI160808-1N8D | 1.8nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 120 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | CI160808-1N8D.pdf | |
![]() | B82432C1105J | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 55mA 32 Ohm Max 2-SMD | B82432C1105J.pdf | |
![]() | FI-D2012-223MJT | FI-D2012-223MJT CERATECH SMD | FI-D2012-223MJT.pdf | |
![]() | UPD64AMC-753-5A4 | UPD64AMC-753-5A4 NEC SSOP20 | UPD64AMC-753-5A4.pdf | |
![]() | 55917-3410 | 55917-3410 MOLEX SMD or Through Hole | 55917-3410.pdf | |
![]() | AP1625W-7 | AP1625W-7 DIODES SOT23-5 | AP1625W-7.pdf | |
![]() | EP900DI-20 | EP900DI-20 ALT DIP | EP900DI-20.pdf | |
![]() | JZ6219C18M5G | JZ6219C18M5G JZ SOT23-5 | JZ6219C18M5G.pdf | |
![]() | 74HC541N.652 | 74HC541N.652 NXP/PH SMD or Through Hole | 74HC541N.652.pdf | |
![]() | IPSO31 | IPSO31 ORIGINAL SMD or Through Hole | IPSO31.pdf | |
![]() | ADXL346Z-M | ADXL346Z-M ADI SMD or Through Hole | ADXL346Z-M.pdf |