창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4976 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xx,59xx,66xx | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 42.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | E, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4976 | |
| 관련 링크 | 1N4, 1N4976 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SMA6J18A-E3/61 | TVS DIODE 18VWM 33.2VC SMA | SMA6J18A-E3/61.pdf | |
![]() | 54F151AM/B2AJC | 54F151AM/B2AJC ORIGINAL SMD or Through Hole | 54F151AM/B2AJC.pdf | |
![]() | VFM-11F71-S01 | VFM-11F71-S01 ORIGINAL SMD or Through Hole | VFM-11F71-S01.pdf | |
![]() | MN5195K-B | MN5195K-B ORIGINAL DIP-64 | MN5195K-B.pdf | |
![]() | ITP104S | ITP104S ORIGINAL SMD | ITP104S.pdf | |
![]() | DW0619SD910LL | DW0619SD910LL SAMTEC SMD or Through Hole | DW0619SD910LL.pdf | |
![]() | GD327 | GD327 ORIGINAL SMD or Through Hole | GD327.pdf | |
![]() | SPT529I | SPT529I ORIGINAL TO-92 | SPT529I.pdf | |
![]() | UPD16316GB-005-8ET-A(MS) | UPD16316GB-005-8ET-A(MS) NEC SMD or Through Hole | UPD16316GB-005-8ET-A(MS).pdf | |
![]() | 586102R91TB007M | 586102R91TB007M ORIGINAL SMD or Through Hole | 586102R91TB007M.pdf | |
![]() | CVXAFSGJ151AZ(6TKE150MAZB) | CVXAFSGJ151AZ(6TKE150MAZB) POSCAP B | CVXAFSGJ151AZ(6TKE150MAZB).pdf |