창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4975US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 27옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | E-MELF | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4975US | |
관련 링크 | 1N49, 1N4975US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 2256-271L | 270nH Unshielded Molded Inductor 6.75A 8.5 mOhm Max Axial | 2256-271L.pdf | |
![]() | XBB170P | Solid State Relay DPST (2 Form B) 8-SMD (0.300", 7.62mm) | XBB170P.pdf | |
![]() | RT0805DRE0713R7L | RES SMD 13.7 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE0713R7L.pdf | |
![]() | FTR-B3GA009Z | FTR-B3GA009Z FUJITSU SMD or Through Hole | FTR-B3GA009Z.pdf | |
![]() | SDA2040A006 | SDA2040A006 SIEMENS DIP | SDA2040A006.pdf | |
![]() | 2SA1081 | 2SA1081 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SA1081.pdf | |
![]() | PM4341-QI | PM4341-QI PMC PLCC | PM4341-QI.pdf | |
![]() | HPC723 | HPC723 ORIGINAL DIP | HPC723.pdf | |
![]() | SKT431F13DT | SKT431F13DT SEMIKRON SMD or Through Hole | SKT431F13DT.pdf | |
![]() | SN54S909J | SN54S909J TI SMD or Through Hole | SN54S909J.pdf | |
![]() | A32100DX-F | A32100DX-F ACT PLCC84 | A32100DX-F.pdf | |
![]() | TD62308BAP | TD62308BAP NA DIP | TD62308BAP.pdf |