창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4967US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 18.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | E-MELF | |
공급 장치 패키지 | * | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4967US | |
관련 링크 | 1N49, 1N4967US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | Y07862K85600T9L | RES 2.856K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y07862K85600T9L.pdf | |
![]() | TCSCN1D476MDAR | TCSCN1D476MDAR ORIGINAL SMD or Through Hole | TCSCN1D476MDAR.pdf | |
![]() | TLP3163 | TLP3163 TOSHIBA DIP5 | TLP3163.pdf | |
![]() | TDA3umc8E | TDA3umc8E ST BGA | TDA3umc8E.pdf | |
![]() | NCJ-NFP 40 | NCJ-NFP 40 HRS SMD or Through Hole | NCJ-NFP 40.pdf | |
![]() | PT-480F | PT-480F SHARP SMD or Through Hole | PT-480F.pdf | |
![]() | CS8954F | CS8954F MYSON QFP | CS8954F.pdf | |
![]() | TMG5C60F | TMG5C60F ORIGINAL SMD or Through Hole | TMG5C60F.pdf | |
![]() | FDC-37S(05) | FDC-37S(05) HIROSE SMD or Through Hole | FDC-37S(05).pdf | |
![]() | 3LP03M-TL-E | 3LP03M-TL-E SANYO SOT-323 | 3LP03M-TL-E.pdf |