창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4965US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4965US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4965US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CGJ3E3C0G2D271J080AA | 270pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGJ3E3C0G2D271J080AA.pdf | |
![]() | CRCW12102R20FKEAHP | RES SMD 2.2 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12102R20FKEAHP.pdf | |
![]() | 365 | RFID Tag Read/Write 1kB (User) Memory 13.56MHz ISO 14443 Inlay | 365.pdf | |
![]() | 0603LS-782XJLC | 0603LS-782XJLC Coilcraft NA | 0603LS-782XJLC.pdf | |
![]() | T355A474K035AS | T355A474K035AS KEMET SMD or Through Hole | T355A474K035AS.pdf | |
![]() | QPA003A | QPA003A N/A SOP8 | QPA003A.pdf | |
![]() | C307 | C307 QG TO-92 | C307.pdf | |
![]() | TC0.5W5V1 | TC0.5W5V1 TC SMD or Through Hole | TC0.5W5V1.pdf | |
![]() | UPD17103CX-535 | UPD17103CX-535 NEC N A | UPD17103CX-535.pdf | |
![]() | LQG21NR9K10T1M00 | LQG21NR9K10T1M00 MURATA SMD or Through Hole | LQG21NR9K10T1M00.pdf | |
![]() | 74H52F | 74H52F S DIP | 74H52F.pdf | |
![]() | K5L6433ATM-AD111 | K5L6433ATM-AD111 SAMSUNG BGA | K5L6433ATM-AD111.pdf |