창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4964US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4964US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4964US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ISC1812EBR10M | 100nH Shielded Wirewound Inductor 552mA 230 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812EBR10M.pdf | |
![]() | 766141122GP | RES ARRAY 13 RES 1.2K OHM 14SOIC | 766141122GP.pdf | |
![]() | JAN1N3021 | JAN1N3021 MSC DO-13 | JAN1N3021.pdf | |
![]() | SST89E516RD2-40C-TQJE | SST89E516RD2-40C-TQJE SST TQJE | SST89E516RD2-40C-TQJE.pdf | |
![]() | 1102G43 | 1102G43 TOSHIBA SMD or Through Hole | 1102G43.pdf | |
![]() | MCC25-06iO8 | MCC25-06iO8 BBC SMD or Through Hole | MCC25-06iO8.pdf | |
![]() | 5GL-2.01 | 5GL-2.01 MOT QFP-32P | 5GL-2.01.pdf | |
![]() | RFP250250N6Z502 | RFP250250N6Z502 ORIGINAL SMD or Through Hole | RFP250250N6Z502.pdf | |
![]() | SCDS125T-102M-S | SCDS125T-102M-S ORIGINAL SMD or Through Hole | SCDS125T-102M-S.pdf | |
![]() | MA50 | MA50 SIPEX SOT23-6 | MA50.pdf | |
![]() | 435Y000 | 435Y000 ORIGINAL SMD | 435Y000.pdf |