창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4964 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xx,59xx,66xx | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 13.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | E, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | * | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4964 | |
관련 링크 | 1N4, 1N4964 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
100YXG120MEFC10X28 | 120µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | 100YXG120MEFC10X28.pdf | ||
V625LS40AP | VARISTOR 1000V 4.5KA DISC 14MM | V625LS40AP.pdf | ||
AOD3N50 | MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252 | AOD3N50.pdf | ||
DEA1X3A100JD1B | DEA1X3A100JD1B MURATA DIP | DEA1X3A100JD1B.pdf | ||
4120-SG812-0.5A | 4120-SG812-0.5A ORIGINAL SMD or Through Hole | 4120-SG812-0.5A.pdf | ||
NLU160805T-8N2 | NLU160805T-8N2 ORIGINAL SMD or Through Hole | NLU160805T-8N2.pdf | ||
SY2129-2 | SY2129-2 ORIGINAL CDIP | SY2129-2.pdf | ||
JS29F32G08FAMB2 | JS29F32G08FAMB2 MICRON TSOP-48 | JS29F32G08FAMB2.pdf | ||
ATMEGA256RZAV-8AU | ATMEGA256RZAV-8AU Atmel Onlyoriginal | ATMEGA256RZAV-8AU.pdf | ||
TC7W241FU(TE12L,F) | TC7W241FU(TE12L,F) TSH SMD or Through Hole | TC7W241FU(TE12L,F).pdf | ||
DS2E-SL2-4.5V | DS2E-SL2-4.5V Panisonic SMD or Through Hole | DS2E-SL2-4.5V.pdf | ||
NW1-24D05S | NW1-24D05S SHANGMEI SMD or Through Hole | NW1-24D05S.pdf |