창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4961US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4961US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4961US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| CB2016T101KV | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 90mA 5.85 Ohm Max 0806 (2016 Metric) | CB2016T101KV.pdf | ||
| DRA74-102-R | 1mH Shielded Wirewound Inductor 260mA 4.19 Ohm Nonstandard | DRA74-102-R.pdf | ||
![]() | 1423158-9 | RELAY TIME DELAY | 1423158-9.pdf | |
![]() | OIS75076156 | OIS75076156 OIS SOP-28 | OIS75076156.pdf | |
![]() | MK1C107M05011PA280 | MK1C107M05011PA280 ORIGINAL SMD or Through Hole | MK1C107M05011PA280.pdf | |
![]() | FAR-F6EB-1G9600-B2BWHZ | FAR-F6EB-1G9600-B2BWHZ FUJITSU QFN | FAR-F6EB-1G9600-B2BWHZ.pdf | |
![]() | 74HV123A | 74HV123A FCS TSSOP | 74HV123A.pdf | |
![]() | XTH9-PKI-RA-128 | XTH9-PKI-RA-128 Digi International SMD or Through Hole | XTH9-PKI-RA-128.pdf | |
![]() | RS1M(5K) | RS1M(5K) ORIGINAL SMD or Through Hole | RS1M(5K).pdf | |
![]() | SURGING 2P230 | SURGING 2P230 LF SMD or Through Hole | SURGING 2P230.pdf | |
![]() | 1706251 | 1706251 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1706251.pdf | |
![]() | C1206C825M9RAC7800 | C1206C825M9RAC7800 Kemet SMD or Through Hole | C1206C825M9RAC7800.pdf |