창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4957 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N49xx,59xx,66xx | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 6.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | E, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | * | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4957 | |
관련 링크 | 1N4, 1N4957 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | B32923D3334M289 | 0.33µF Film Capacitor 305V Polypropylene (PP) Radial 1.043" L x 0.276" W (26.50mm x 7.00mm) | B32923D3334M289.pdf | |
![]() | 445W35S20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35S20M00000.pdf | |
![]() | 78438322022 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.34A 302 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | 78438322022.pdf | |
![]() | RCP1206B43R0JS6 | RES SMD 43 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B43R0JS6.pdf | |
![]() | 299D474X9050AB | 299D474X9050AB VISHAY SMD | 299D474X9050AB.pdf | |
![]() | MAX7545ABQ | MAX7545ABQ ORIGINAL DIP-20L | MAX7545ABQ.pdf | |
![]() | 74HCT157DR | 74HCT157DR TI SOIC | 74HCT157DR.pdf | |
![]() | BUX989I | BUX989I NXP TO-PN | BUX989I.pdf | |
![]() | STR-F6454R | STR-F6454R ORIGINAL ZIP-5 | STR-F6454R.pdf | |
![]() | MCI1005HQ4N7SA | MCI1005HQ4N7SA ETRONIC ROHS | MCI1005HQ4N7SA.pdf | |
![]() | 2SC81 | 2SC81 HIT CAN | 2SC81.pdf | |
![]() | OM13013 | OM13013 NXP SMD or Through Hole | OM13013.pdf |