창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4957 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xx,59xx,66xx | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 6.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | E, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4957 | |
| 관련 링크 | 1N4, 1N4957 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TB-68.000MCE-T | 68MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TB-68.000MCE-T.pdf | |
![]() | Y1121500R000T0L | RES SMD 500OHM 0.01% 1/4W J LEAD | Y1121500R000T0L.pdf | |
![]() | HPA25B-1 | HPA25B-1 ECT SMD or Through Hole | HPA25B-1.pdf | |
![]() | MB582APFV-G-BND | MB582APFV-G-BND FUJ QFP | MB582APFV-G-BND.pdf | |
![]() | 2SK3081 | 2SK3081 NEC TO-220 | 2SK3081.pdf | |
![]() | 1A433333CEA | 1A433333CEA ORIGINAL SMD or Through Hole | 1A433333CEA.pdf | |
![]() | STR6108 | STR6108 ORIGINAL DIP | STR6108.pdf | |
![]() | SAB-C501G-L24P-SAB80C32 | SAB-C501G-L24P-SAB80C32 SIEMENS DIP40 | SAB-C501G-L24P-SAB80C32.pdf | |
![]() | B335K20V | B335K20V AVX SMD | B335K20V.pdf | |
![]() | W540B | W540B ORIGINAL SMD or Through Hole | W540B.pdf | |
![]() | NCV8800HDW26R2 | NCV8800HDW26R2 ONS SMD or Through Hole | NCV8800HDW26R2.pdf | |
![]() | R5050DNZ0C9 | R5050DNZ0C9 ROHM TO-247 | R5050DNZ0C9.pdf |