창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4956US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 6.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4956US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4956US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9003AC-14-33EQ-10.00000X | OSC XO 3.3V 10MHZ OE -1.0% | SIT9003AC-14-33EQ-10.00000X.pdf | |
![]() | MMBZ4716-E3-18 | DIODE ZENER 39V 350MW SOT23-3 | MMBZ4716-E3-18.pdf | |
![]() | PN2907ATF | TRANS PNP 60V 0.8A TO-92 | PN2907ATF.pdf | |
![]() | 766163332GPTR7 | RES ARRAY 8 RES 3.3K OHM 16SOIC | 766163332GPTR7.pdf | |
![]() | AML1005H39NJT | AML1005H39NJT FDK SMD or Through Hole | AML1005H39NJT.pdf | |
![]() | SPMWHT5225D5WAW0S0_A2WAS2 | SPMWHT5225D5WAW0S0_A2WAS2 SAMSUNGLED SMD or Through Hole | SPMWHT5225D5WAW0S0_A2WAS2.pdf | |
![]() | ELFT06251 | ELFT06251 AMPHENOL SMD or Through Hole | ELFT06251.pdf | |
![]() | ICS950913 | ICS950913 ICS SMD | ICS950913.pdf | |
![]() | 29DL162TD-90PFTN | 29DL162TD-90PFTN FUJISTU TSOP | 29DL162TD-90PFTN.pdf | |
![]() | RGL6616 | RGL6616 ORIGINAL SMD or Through Hole | RGL6616.pdf | |
![]() | 74LVC131 | 74LVC131 TI SOP | 74LVC131.pdf |