창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4919A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4916-1N4932A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 300옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4919A | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4919A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | FMM65-015P | MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5 | FMM65-015P.pdf | |
![]() | MLG0603SR16HT000 | 160nH Unshielded Multilayer Inductor 50mA 8.3 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603SR16HT000.pdf | |
![]() | BU7930GU | BU7930GU ROHM SMD or Through Hole | BU7930GU.pdf | |
![]() | VCF60-001 | VCF60-001 V QFP | VCF60-001.pdf | |
![]() | 3DG101F | 3DG101F CHINA T0-39 | 3DG101F.pdf | |
![]() | ADF4153BRUZ-REEL7 | ADF4153BRUZ-REEL7 ADI SMD or Through Hole | ADF4153BRUZ-REEL7.pdf | |
![]() | 67W5K | 67W5K USA SMD or Through Hole | 67W5K.pdf | |
![]() | 2SB1260-Q | 2SB1260-Q ROHM SOT-89 | 2SB1260-Q.pdf | |
![]() | BQ2012SN-D102 | BQ2012SN-D102 BENCHMARQ SOP-16 | BQ2012SN-D102.pdf | |
![]() | TPV598R | TPV598R HG SMD or Through Hole | TPV598R.pdf | |
![]() | MBR340G-ON | MBR340G-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | MBR340G-ON.pdf | |
![]() | T18X26M12012118 | T18X26M12012118 TEW SMD or Through Hole | T18X26M12012118.pdf |