창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4919 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4916-1N4932A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 300옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4919 | |
| 관련 링크 | 1N4, 1N4919 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | PE-0402CH3N0STT | 3nH Unshielded Multilayer Inductor 570mA 110 mOhm Max Nonstandard | PE-0402CH3N0STT.pdf | |
![]() | 1765EFE18 | 1765EFE18 LINEAR SMD or Through Hole | 1765EFE18.pdf | |
![]() | SG1463 | SG1463 MSC TO | SG1463.pdf | |
![]() | TEESVA1C106K8R | TEESVA1C106K8R NEC A | TEESVA1C106K8R.pdf | |
![]() | VJ1206A100JXGAT5Z | VJ1206A100JXGAT5Z VISHAY DIPSOP | VJ1206A100JXGAT5Z.pdf | |
![]() | MIC5233BM5TR | MIC5233BM5TR MICREL SOT23 | MIC5233BM5TR.pdf | |
![]() | LM89CIMM(T19C) | LM89CIMM(T19C) NSC TSSOP-8 | LM89CIMM(T19C).pdf | |
![]() | 49MC336D016MOA(16V33uF) | 49MC336D016MOA(16V33uF) PHI D | 49MC336D016MOA(16V33uF).pdf | |
![]() | SNJ54ALS74A/BCAJC | SNJ54ALS74A/BCAJC TI SMD or Through Hole | SNJ54ALS74A/BCAJC.pdf | |
![]() | XC4085XLA08BG560C | XC4085XLA08BG560C XILINX BGA | XC4085XLA08BG560C.pdf | |
![]() | lms-td01 | lms-td01 ORIGINAL SMD or Through Hole | lms-td01.pdf |