창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4900 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4896-1N4915A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4900 | |
| 관련 링크 | 1N4, 1N4900 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SM15T18A-E3/9AT | TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC SMC | SM15T18A-E3/9AT.pdf | |
![]() | 4-1423161-4 | RELAY TIME DELAY | 4-1423161-4.pdf | |
![]() | E28F320J3-120 | E28F320J3-120 INTEL TSOP56 | E28F320J3-120.pdf | |
![]() | TMP47C443DM-GH31 | TMP47C443DM-GH31 TOSH SOP | TMP47C443DM-GH31.pdf | |
![]() | BB02-KM082-A03-G00000-6T | BB02-KM082-A03-G00000-6T GRADCONN Call | BB02-KM082-A03-G00000-6T.pdf | |
![]() | OPA628SM | OPA628SM BB CAN8 | OPA628SM.pdf | |
![]() | JANTVX2N6804 | JANTVX2N6804 ORIGINAL SMD or Through Hole | JANTVX2N6804.pdf | |
![]() | IRHM7064 | IRHM7064 IR TO-254 | IRHM7064.pdf | |
![]() | 75L6P43T | 75L6P43T ORIGINAL 8PCS | 75L6P43T.pdf | |
![]() | L503UC | L503UC ORIGINAL SMD or Through Hole | L503UC.pdf | |
![]() | 13GK18J3SS | 13GK18J3SS TOSHIBA DIP64 | 13GK18J3SS.pdf |