창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4896 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4896-1N4915A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 400옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-7 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4896 | |
| 관련 링크 | 1N4, 1N4896 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012P-2551-B-T5 | RES SMD 2.55K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-2551-B-T5.pdf | |
![]() | ZT208FCP | ZT208FCP ORIGINAL DIP24 | ZT208FCP.pdf | |
![]() | 880nm | 880nm VISHAY 1210 | 880nm.pdf | |
![]() | VJ0603A470JXAAP 0603-47P L | VJ0603A470JXAAP 0603-47P L VISHAY SMD or Through Hole | VJ0603A470JXAAP 0603-47P L.pdf | |
![]() | 501261-001 | 501261-001 ORIGINAL DIP | 501261-001.pdf | |
![]() | 250250-4AA20-1 | 250250-4AA20-1 SMD SMD or Through Hole | 250250-4AA20-1.pdf | |
![]() | LAH-100V122MS3 | LAH-100V122MS3 ELNA DIP-2 | LAH-100V122MS3.pdf | |
![]() | NRD335M50R12 | NRD335M50R12 NEC SMD | NRD335M50R12.pdf | |
![]() | IRFE14410 | IRFE14410 IR SOP | IRFE14410.pdf | |
![]() | UWT0J102MNR1GB | UWT0J102MNR1GB NICHICON SMD or Through Hole | UWT0J102MNR1GB.pdf | |
![]() | MBRA21ET3G | MBRA21ET3G ONSEMI SMD or Through Hole | MBRA21ET3G.pdf |