창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4784 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4775-1N4784A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.5V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | 0°C ~ 75°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4784 | |
관련 링크 | 1N4, 1N4784 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | GRM1885C1H2R0BZ01J | 2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H2R0BZ01J.pdf | |
![]() | 405C11A24M57600 | 24.576MHz ±10ppm 수정 10pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405C11A24M57600.pdf | |
![]() | VLS4012ET-100M | 10µH Shielded Wirewound Inductor 890mA 228 mOhm Max Nonstandard | VLS4012ET-100M.pdf | |
![]() | 36401E22NJ | 22nH Unshielded Thin Film Inductor 90mA 2.65 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | 36401E22NJ.pdf | |
![]() | MB87L4040 | MB87L4040 CANON TQFP | MB87L4040.pdf | |
![]() | ADS3681E | ADS3681E ORIGINAL SSOP | ADS3681E.pdf | |
![]() | BA2026D | BA2026D ROHM DIP | BA2026D.pdf | |
![]() | U2761B-MFS | U2761B-MFS TEMIC SSOP28 | U2761B-MFS.pdf | |
![]() | S216R | S216R MINMAX SMD or Through Hole | S216R.pdf | |
![]() | TSI265B1RL | TSI265B1RL ORIGINAL SMD or Through Hole | TSI265B1RL.pdf | |
![]() | AD8625BR | AD8625BR ADI SOP8 | AD8625BR.pdf |