창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4782A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4775-1N4784A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.5V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4782A | |
| 관련 링크 | 1N47, 1N4782A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 445W32H14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 32pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32H14M31818.pdf | |
![]() | ATFC-0201-1N6-BT | 1.6nH Unshielded Thin Film Inductor 200mA 550 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | ATFC-0201-1N6-BT.pdf | |
![]() | IHLM2525CZER8R2M06 | 8.2µH Shielded Inductor 4A 61.47 mOhm Nonstandard | IHLM2525CZER8R2M06.pdf | |
![]() | 33-2712NM-00-0050 | 1.6GHz Beidou, GLONASS, GPS Puck RF Antenna 1.557GHz ~ 1.606GHz 4.75dBic Magnetic | 33-2712NM-00-0050.pdf | |
![]() | 593D337X06R3E2T/6. | 593D337X06R3E2T/6. VISHAY E | 593D337X06R3E2T/6..pdf | |
![]() | THS4150CDR | THS4150CDR TI SOP-8 | THS4150CDR.pdf | |
![]() | HS3F | HS3F TSC/ SMD or Through Hole | HS3F.pdf | |
![]() | BC857BL3E6327 | BC857BL3E6327 INF SMD or Through Hole | BC857BL3E6327.pdf | |
![]() | S9712XXES | S9712XXES NS SMD or Through Hole | S9712XXES.pdf | |
![]() | BAT400DT/R | BAT400DT/R PANJIT SOT-23 | BAT400DT/R.pdf | |
![]() | MC10104P1 | MC10104P1 ORIGINAL DIP | MC10104P1.pdf |