창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4781A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4775-1N4784A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.5V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 100°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4781A | |
관련 링크 | 1N47, 1N4781A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
B32653A6104J189 | 0.1µF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.236" W (26.50mm x 6.00mm) | B32653A6104J189.pdf | ||
416F30022CKT | 30MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30022CKT.pdf | ||
RNF18FTD274R | RES 274 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD274R.pdf | ||
LH28F800BJE-BTC80 | LH28F800BJE-BTC80 LH TSOP | LH28F800BJE-BTC80.pdf | ||
TC4053BFN(F) | TC4053BFN(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC4053BFN(F).pdf | ||
FZHD | FZHD max 3 SOT-23 | FZHD.pdf | ||
EC15QS03L-TE12L | EC15QS03L-TE12L NIEC SMA | EC15QS03L-TE12L.pdf | ||
YMF740F-22 | YMF740F-22 YAMAHA SMD or Through Hole | YMF740F-22.pdf | ||
SG2548BN /N | SG2548BN /N LINFINITY DIP-16 | SG2548BN /N.pdf | ||
EL7014CN | EL7014CN EL DIP | EL7014CN.pdf | ||
JL82C86H | JL82C86H INTEL AUCDIP | JL82C86H.pdf | ||
NCP3066MNTXG | NCP3066MNTXG ON DFN-8 | NCP3066MNTXG.pdf |