Microsemi Corporation 1N4770

1N4770
제조업체 부품 번호
1N4770
제조업 자
제품 카테고리
다이오드- 제너 - 단일
간단한 설명
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
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내부 부품 번호EIS-1N4770
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서1N4765-1N4774A
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드- 제너 - 단일
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
전압 - 제너(공칭)(Vz)9.1V
허용 오차±5%
전력 - 최대500mW
임피던스(최대)(Zzt)200옴
전류 - 역누설 @ Vr-
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If-
작동 온도0°C ~ 75°C
실장 유형스루홀
패키지/케이스DO-204AH, DO-35, 축
공급 장치 패키지DO-35
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)1N4770
관련 링크1N4, 1N4770 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
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